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    Studies Nitride Gallium Nitr Ion 海外直订Luminescence 离子注入氮化镓和铝镓 and Alluminum Implanted 发光研究

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    Implanted 海外直订Electron 离子注入硅 Microscopy Ion Silicon Studies 电镜研究

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    Implantation Distributions Deposition Low and 海外直订Ion Incide Range Volume Energy 离子注入范围和能量沉积分布

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    海外直订Ion Materials Implantation Synthesis and 离子注入与材料合成

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    Microelectronics Comprehensive 海外直订Ion 微电子中 Implantation Bibliography 离子注入：综合书目

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    Implantation the Confere Semiconductors 海外直订Ion 半导体中 II. International Proceedings 离子注入：第二届

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    Synthesis 海外直订Ion 离子注入与材料合成 Implantation Materials and

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    海外直订Encyclopedia Implantation Ion 离子注入百科全书

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    海外直订Ion 离子注入：器件制造 Implantation Device Fabrication Basics 基础

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    Ion Optical and 海外直订Effect Phot Disorder Implanted Semiconductors Defects 离子注入半导体中无序和缺陷

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    Implantation the Lectures 海外直订Ion Techniques Ion School Given 离子注入技术：与第四届离子

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    Implantation Equipment the 离子注入 设备和技术 海外直订Ion Proceedings and Fourth Internatio Techniques 第四届

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    20

    Semiconductors Other 海外直订Ion 半导体和其他材料中 Implantation and Materials 离子注入

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    Activation 海外直订Ion 离子注入和激活 Implantation Volume and 卷3

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    由离子注入参考物质确定 2010表面化学分析 二次离子质谱 25186 相对灵敏度因子

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    Semiconductors and 海外直订Ion 半导体中 Implantation Science Technology 离子注入：科学与技术

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    Implantation and 石墨及相关材料 金刚石 海外直订Ion Graphite Related Materials Diamond 离子注入

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    Ion Activation Nitride 海外直订Electrical 离子注入氮化镓 Studies Implanted Gallium 电激活研究

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    2017表面化学分析 推荐 工作参考物质中离子注入产生 驻留面剂量定值 34174 程序

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    测定 2009硅外延层 扩散层和离子注入层薄层电阻 14141 直排四探针法

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    15862 2012离子注入机通用规范

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    离子注入水热法和真空退火 TiO2和WO3 郑旭东 表面增强拉曼光谱 氧空位调控及其光电磁学特性 半导体材料和器件方面研究人员参考9

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    中国原子能出版 离子注入法制备石墨烯 著 9787522103846 张瑞 社

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